QJD1210010

QJD1210010

型号: QJD1210010
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Powerex, Inc.
描述: SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
封装: -
ROHS状态:
货币: USD
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基本参数

  • 安装类型 Chassis Mount
  • 包装/箱 Module
  • 供应商设备包 Module
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100A (Tc)
  • 技术 Silicon Carbide (SiC)
  • 漏源电压 (Vdss) 1200V (1.2kV)
  • 配置 2 N-Channel (Dual)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 5V @ 10mA
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 25mOhm @ 100A, 20V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 500nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 10200pF @ 800V
  • 功率 - 最大 1080W