QS6J11TR

QS6J11TR

型号: QS6J11TR
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: ROHM Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 包装/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 功率 - 最大 600mW
  • 配置 2 P-Channel (Dual)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 1mA
  • 漏源电压 (Vdss) 12V
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A
  • 供应商设备包 TSMT6 (SC-95)
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 6.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 770pF @ 6V