QS8J12TCR

QS8J12TCR

型号: QS8J12TCR
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: ROHM Semiconductor
描述: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
封装: -
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 配置 2 P-Channel (Dual)
  • 供应商设备包 TSMT8
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 1mA
  • 漏源电压 (Vdss) 12V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A
  • 场效应管特性 Logic Level Gate, 1.5V Drive
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 40nC @ 4.5V
  • 功率 - 最大 550mW
  • 包装/箱 8-SMD, Flat Leads
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 29mOhm @ 4.5A, 4.5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 4200pF @ 6V