FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
R6030ENZ1C9
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 包装/箱 TO-247-3
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2100 pF @ 25 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 1mA
- 供应商设备包 TO-247
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 85 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- 功耗（最大） 120W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 130mOhm @ 14.5A, 10V
