FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RJL5014DPK-00#T0
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±30V
- 功耗（最大） 150W (Tc)
- 供应商设备包 TO-3P
- 包装/箱 TO-3P-3, SC-65-3
- 漏源电压 (Vdss) 500 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 19A (Ta)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1700 pF @ 25 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 43 nC @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 400mOhm @ 9.5A, 10V
