FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RJL6012DPE-00#J3
型号：
RJL6012DPE-00#J3
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
封装：
-
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 28 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1050 pF @ 25 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A (Ta)
- 功耗（最大） 100W (Tc)
- 供应商设备包 LDPAK
- 包装/箱 SC-83
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
