FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RQJ0303PGDQA#H6
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-Channel
- 包装/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 12 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 800mW (Ta)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.3A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V
- Vgs（最大） +10V, -20V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 625 pF @ 10 V
- 供应商设备包 3-MPAK
