FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RS1E200BNTB
型号：
RS1E200BNTB
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 59 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20A (Ta), 68A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3100 pF @ 15 V
- 功耗（最大） 3W (Ta), 25W (Tc)
- 供应商设备包 8-HSOP
