FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
RW1C015UNT2R
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 包装/箱 6-SMD, Flat Leads
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±10V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.5V, 4.5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 1mA
- 供应商设备包 6-WEMT
- 功耗（最大） 400mW (Ta)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 1.8 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 110 pF @ 10 V
