FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SCT2080KEC
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- 工作温度 175°C (TJ)
- 包装/箱 TO-247-3
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 供应商设备包 TO-247
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
- Vgs（最大） +22V, -6V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 117mOhm @ 10A, 18V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 4.4mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 106 nC @ 18 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2080 pF @ 800 V
- 功耗（最大） 262W (Tc)
