FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SCT30N120
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 40A (Tc)
- 包装/箱 TO-247-3
- 功耗（最大） 270W (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- Vgs（最大） +25V, -10V
- 工作温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 100mOhm @ 20A, 20V
- 供应商设备包 HiP247™
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 105 nC @ 20 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1700 pF @ 400 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.6V @ 1mA (Typ)
