SH8M12TB1

SH8M12TB1

型号: SH8M12TB1
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: ROHM Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 供应商设备包 8-SOP
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 配置 N and P-Channel
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 漏源电压 (Vdss) 30V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 1mA
  • 功率 - 最大 2W
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 250pF @ 10V
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 42mOhm @ 5A, 10V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 4nC @ 5V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A, 4.5A