FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI3476DV-T1-GE3
型号：
SI3476DV-T1-GE3
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 80V 4.6A 6TSOP
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 供应商设备包 6-TSOP
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 80 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 7.5 nC @ 10 V
- 功耗（最大） 2W (Ta), 3.6W (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 93mOhm @ 3.5A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 195 pF @ 40 V
