FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI3585CDV-T1-GE3
型号：
SI3585CDV-T1-GE3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
描述：
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- 供应商设备包 6-TSOP
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 配置 N and P-Channel
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.9A, 2.1A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 58mOhm @ 2.5A, 4.5V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 4.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 150pF @ 10V
- 功率 - 最大 1.4W, 1.3W
