FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI4200DY-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 供应商设备包 8-SOIC
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.2V @ 250µA
- 配置 2 N-Channel (Dual)
- 漏源电压 (Vdss) 25V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A
- 功率 - 最大 2.8W
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 12nC @ 10V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 25mOhm @ 7.3A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 415pF @ 13V
