FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI4752DY-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 供应商设备包 8-SOIC
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A (Tc)
- 场效应管特性 Schottky Diode (Body)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 43 nC @ 10 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.2V @ 1mA
- 功耗（最大） 3W (Ta), 6.25W (Tc)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1700 pF @ 15 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V
