SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

型号: SI4909DY-T1-GE3
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Vishay / Siliconix
描述: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SOIC
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD
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基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 供应商设备包 8-SOIC
  • 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 250µA
  • 漏源电压 (Vdss) 40V
  • 配置 2 P-Channel (Dual)
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8A
  • 功率 - 最大 3.2W
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 27mOhm @ 8A, 10V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2000pF @ 20V