FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI5415AEDU-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 工作温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A (Tc)
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±8V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V, 4.5V
- 功耗（最大） 3.1W (Ta), 31W (Tc)
- 供应商设备包 PowerPAK® ChipFet Single
- 包装/箱 PowerPAK® ChipFET™ Single
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 120 nC @ 8 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4300 pF @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 9.6mOhm @ 10A, 4.5V
