FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SI8851EDB-T2-E1
型号：
SI8851EDB-T2-E1
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET P-CH 20V PWR MICRO FOOT
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 P-Channel
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- Vgs（最大） ±8V
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 1.8V, 4.5V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 7.7A (Ta)
- 功耗（最大） 660mW (Ta)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 180 nC @ 8 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 6900 pF @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 8mOhm @ 7A, 4.5V
- 供应商设备包 Power Micro Foot® (2.4x2)
- 包装/箱 30-XFBGA
