SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3

型号: SIA907EDJT-T1-GE3
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: Vishay / Siliconix
描述: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD
PDF: 资料 资料

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 漏源电压 (Vdss) 20V
  • 配置 2 P-Channel (Dual)
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1.4V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 23nC @ 10V
  • 包装/箱 PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 供应商设备包 PowerPAK® SC-70-6 Dual
  • 功率 - 最大 7.8W
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 57mOhm @ 3.6A, 4.5V