FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
SIZ710DT-T1-GE3
型号：
SIZ710DT-T1-GE3
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
描述：
MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.2V @ 250µA
- 配置 2 N-Channel (Half Bridge)
- 漏源电压 (Vdss) 20V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 18nC @ 10V
- 功率 - 最大 27W, 48W
- 包装/箱 6-PowerPair™
- 供应商设备包 6-PowerPair™
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A, 35A
- Rds On（最大）@Id、Vgs 6.8mOhm @ 19A, 10V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 820pF @ 10V
