FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 60V
- 功率 - 最大 4W
- 包装/箱 12-SIP
- 供应商设备包 12-SIP
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 10A
- 配置 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 140mOhm @ 5A, 4V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 460pF @ 10V, 1200pF @ 10V
