FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SQ2319ES-T1-GE3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 场效应管类型 P-Channel
- 包装/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 供应商设备包 SOT-23-3 (TO-236)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 16 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 620 pF @ 25 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 75mOhm @ 3A, 10V
