FGH75T65SHD-F155
Sanyo Semiconductor/onsemi
STGW30H60DFB
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 600 V
- 输入类型 Standard
- 包装/箱 TO-247-3
- 供应商设备包 TO-247
- 集电极电流 (Ic)（最大） 60 A
- 反向恢复时间 (trr) 53 ns
- Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- 集电极脉冲电流 (Icm) 120 A
- 功率 - 最大 260 W
- 栅极电荷 149 nC
- 测试条件 400V, 30A, 10Ohm, 15V
- 开关能量 383µJ (on), 293µJ (off)
- Td（开/关）@ 25°C 37ns/146ns
