FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
STL10N65M2
型号：
STL10N65M2
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- Vgs（最大） ±25V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
- 功耗（最大） 48W (Tc)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 10.3 nC @ 10 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1Ohm @ 2.5A, 10V
- 供应商设备包 PowerFlat™ (5x6) HV
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 315 pF @ 100 V
