FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
SUM110N05-06L-E3
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 55 V
- 供应商设备包 TO-263 (D2PAK)
- 包装/箱 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3300 pF @ 25 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 100 nC @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 110A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 6mOhm @ 30A, 10V
