FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
TK45P03M1,RQ(S
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 供应商设备包 DPAK
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 25 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1500 pF @ 10 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 45A (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.3V @ 200µA
- Rds On（最大）@Id、Vgs 9.7mOhm @ 22.5A, 10V
