FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
TPS1101DR
型号：
TPS1101DR
产品分类：
单 FET、MOSFET
描述：
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 供应商设备包 8-SOIC
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA
- 漏源电压 (Vdss) 15 V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2.3A (Ta)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.7V, 10V
- Vgs（最大） +2V, -15V
- 功耗（最大） 791mW (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 90mOhm @ 2.5A, 10V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 11.25 nC @ 10 V
