FPF1C2P5BF07A
Sanyo Semiconductor/onsemi
TPS1120DR
型号：
TPS1120DR
产品分类：
FET、MOSFET 阵列
描述：
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
封装：
Tape & Reel (TR)
ROHS状态：
是
货币：
USD
PDF：
资料
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 供应商设备包 8-SOIC
- 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管特性 Logic Level Gate
- Vgs(th)（最大值）@Id 1.5V @ 250µA
- 配置 2 P-Channel (Dual)
- 功率 - 最大 840mW
- Rds On（最大）@Id、Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
- 漏源电压 (Vdss) 15V
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.17A
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 5.45nC @ 10V
