US6M11TR

US6M11TR

型号: US6M11TR
产品分类: FET、MOSFET 阵列
品牌: ROHM Semiconductor
描述: MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
封装: Tape & Reel (TR)
ROHS状态:
货币: USD

基本参数

  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • 包装/箱 6-SMD, Flat Leads
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 配置 N and P-Channel
  • 场效应管特性 Logic Level Gate
  • 功率 - 最大 1W
  • Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 1mA
  • 供应商设备包 TUMT6
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 1.8nC @ 4.5V
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 110pF @ 10V
  • 漏源电压 (Vdss) 20V, 12V
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.5A, 1.3A