FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
VMO1200-01F
基本参数
- 安装类型 Chassis Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- 包装/箱 Y3-Li
- 供应商设备包 Y3-Li
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1220A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.35mOhm @ 932A, 10V
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 64mA
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 2520 nC @ 10 V
