FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
ZXMNS3BM832TA
基本参数
- 安装类型 Surface Mount
- 包装/箱 8-VDFN Exposed Pad
- 场效应管类型 N-Channel
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 2.5V, 4.5V
- Vgs（最大） ±12V
- Vgs(th)（最大值）@Id 700mV @ 250µA (Min)
- 功耗（最大） 1W (Ta)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 2A (Ta)
- 场效应管特性 Schottky Diode (Isolated)
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 2.9 nC @ 4.5 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 180mOhm @ 1.5A, 4.5V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 314 pF @ 15 V
- 供应商设备包 8-MLP (3x2)
