FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
IRFD9113
基本参数
- 安装类型 Through Hole
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 场效应管类型 P-Channel
- 供应商设备包 4-HVMDIP
- 包装/箱 4-DIP (0.300", 7.62mm)
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 600mA (Ta)
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 250 pF @ 25 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 15 nC @ 15 V
- Rds On（最大）@Id、Vgs 1.6Ohm @ 300mA, 10V
